​​国产芯片如何突破7nm瓶颈？​​
这个问题的答案藏在华为松山湖实验室里——通过DUV四重曝光工艺，中芯国际将14nm芯片晶体管密度提升至每平方毫米8000万，达到台积电10nm工艺的92%。但更关键的是​​华为海思的3D堆叠