​​纳米尺度下的物理战争​​
当芯片制程进入10nm以下领域，工程师实际上在与量子物理规则对抗。电子在仅含几十个原子宽度的沟道中运动时，会出现"穿墙而过"的量子隧穿效应。中芯国际的测试数据显示，7nm等效工艺中漏电

​​为什么光刻胶比光刻机更难突破？​​
光刻胶被称为芯片制造的"粉底液"，需要在指甲盖大小的区域均匀涂抹误差小于0.1nm的涂层。​​南大光电的ArF光刻胶通过中芯国际验证用了1783天​​，比设备研发周期还长。难点在

​​为什么半导体材料成为突围焦点？​​
全球芯片制造涉及108种核心材料，其中24种被海外垄断。2022年数据显示，中国半导体材料自给率仅为16%，光刻胶、抛光液等关键品类进口依赖度超90%。但转折点出现在2023年：南大光电的